【资料图】

PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压，为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案

奈梅亨，2022年12月19日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。

Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20 µs浪涌脉冲所含的能量。”

单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3 V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16 A 100 ns TLP时仅为2.4 V，在20 A 8/20 µs浪涌时仅为3.4 V。双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8 V，典型器件鲁棒性超过14 A 8/20 µs，典型器件电容为0.82 pF。

虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5 GHz，因此适用于5 Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。

标签： Nexperia